IRF6726MTRPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF6726MTRPBF

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 32A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	77nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6140pF @ 15V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MT
Корпус	DIRECTFET™ MT

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6726MTRPBF (MOSFET)

N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6726MTRPBF datasheet
256.4 Кб