![]() |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 11A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2100pF @ 15V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7466 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
![]() | BU4508AX Транзистор биполярный большой Р Сощности NPN hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf Купить |
![]() | ПГК-5Р Сџ8Р Сњ Поворотные галетные переключатели типа ПГГ Количество плат РѕС‚ 1 Р Т‘Р С• 5, положений РѕС‚ 2 Р Т‘Р С• 11, направлений РѕС‚ 1 Р Т‘Р С• 20. Конецоси Р Р† 2 вариантах: РЎРѓ РїСЂСЏРСРѕР№ ... 330.28 СЂСѓР± Купить |
![]() | PHK28NQ03LT Trenchmos (tm) logic level fet Купить |
|
Корзина
|