|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
62 568
|
1.95
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
92 548
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
700
|
4.14
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.65
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
17 516
|
5.59
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
302 784
|
1.03
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
1 504
|
1.03
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1 012.66
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
1 938 158
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
1
|
3.42
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
1 962
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
67 200
|
453.60
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
223 024
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
42 050
|
4.36
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
47 936
|
2.03
|
|
|
|
PIC32MX795F512L-80I/PT |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC32MX795F512L-80I/PT |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC32MX795F512L-80I/PT |
|
|
|
|
|
|
|
|
PIC32MX795F512L-80I/PT |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PLD-10 |
|
10-контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х40) для пайки на печатную плату прямая
|
|
1
|
9.20
|
|
|
|
PLD-10 |
|
10-контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х40) для пайки на печатную плату прямая
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
PLD-10 |
|
10-контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х40) для пайки на печатную плату прямая
|
KLS
|
13 429
|
2.46
|
|
|
|
PLD-10 |
|
10-контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х40) для пайки на печатную плату прямая
|
NXU
|
|
|
|
|
|
PLD-10 |
|
10-контактная двухрядная штыревая линейка (вилка 2х40) для пайки на печатную плату прямая
|
BM
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
3 918
|
8.47
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
|
8 960
|
3.50
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
DIOTEC
|
34 492
|
6.93
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
3
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|