IRFBC30ALPBF


Hexfet® power mosfet

Купить IRFBC30ALPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFBC30ALPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFBC30ALPBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
Power - Max74W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBC30ALPBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBC30ALPBF datasheet
302.9 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход