IRFM120A

Версия для печати

Технические характеристики IRFM120A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	480pF @ 25V
Power - Max	2.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFM120A (MOSFET)

Advanced Power MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

IRFM120A datasheet
269.3 Кб