IRFSL4127PbF


200v single n-channel hexfet power mosfet

Купить IRFSL4127PbF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFSL4127PbF
Версия для печати

Технические характеристики IRFSL4127PbF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 44A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C72A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5380pF @ 50V
Power - Max375W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 (Straight Leads)
КорпусTO-262
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFSL4127PbF (MOSFET)

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a TO-262 package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFSL4127PbF datasheet
355.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход