IRL3202S

Версия для печати

Технические характеристики IRL3202S

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 29A, 7V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	48A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	43nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2000pF @ 15V
Power - Max	69W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL3202S (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL3202S datasheet
229.7 Кб