IRL8113

Версия для печати

Технические характеристики IRL8113

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 21A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	105A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2840pF @ 15V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL8113 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL8113 datasheet
279.7 Кб