IXFA10N60P

Версия для печати

Технические характеристики IXFA10N60P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PolarHV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	740 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1610pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	TO-263 (D2Pak)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFA10N60P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFA10N60P datasheet
119.8 Кб