IXFH170N10P


Polarht hiperfet power mosfets

Купить IXFH170N10P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFH170N10P
Версия для печати

Технические характеристики IXFH170N10P

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPolarHT™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C170A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs198nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6000pF @ 25V
Power - Max714W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247
КорпусTO-247
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFH170N10P (MOSFET)

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
ISSI

IXFH170N10P datasheet
255.3 Кб
20TQ045
Диод Шоттки 20А 45В
Купить
СРГ50-876ФВ
Соединители (розетки) СРГ-75 предназначены для работы в электрических цепях радиочастотных трактов (частотой до 10МГц). СРГ-75 изготавливают в гермети...
634.36 руб Купить
М4203 30-0-30В
точность 2,5; 40х40х48
544.00 руб Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход