IXFK102N30P

Версия для печати

Технические характеристики IXFK102N30P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHT™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	102A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	224nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7500pF @ 25V
Power - Max	700W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264
Корпус	TO-264

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFK102N30P (MOSFET)

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFK102N30P datasheet
132.8 Кб