IXFK32N80P

Версия для печати

Технические характеристики IXFK32N80P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8800pF @ 25V
Power - Max	830W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264
Корпус	TO-264

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFK32N80P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFK32N80P datasheet
161.8 Кб