IXFL38N100Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFL38N100Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 19A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	29A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	13500pF @ 25V
Power - Max	380W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS264™
Корпус	ISOPLUS264™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFL38N100Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFL38N100Q2 datasheet
135.2 Кб