IXFR4N100Q

Версия для печати

Технические характеристики IXFR4N100Q

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1050pF @ 25V
Power - Max	80W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS247™
Корпус	ISOPLUS247™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFR4N100Q (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

Производитель:
IXYS

IXFR4N100Q datasheet
79.9 Кб