IXFV15N100P

Версия для печати

Технические характеристики IXFV15N100P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	760 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15A
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	97nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5140pF @ 25V
Power - Max	543W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	PLUS-220
Корпус	PLUS220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFV15N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFV15N100P datasheet
175.9 Кб