IXFX24N100
Hiperfettm power mosfets
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HiPerFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 24A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 267nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Power - Max | 560W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | PLUS247™-3 |
| Корпус | PLUS247™-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXFX24N100 (MOSFET) HiPerFETTM Power MOSFETs
Производитель:
|
