IXTA130N10T


Trenchmv power mosfet

Купить IXTA130N10T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTA130N10T
Версия для печати

Технические характеристики IXTA130N10T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMV™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C130A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs104nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5080pF @ 25V
Power - Max360W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусTO-263
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTA130N10T (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTA130N10T datasheet
148.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход