IXTH12N100L

Версия для печати

Технические характеристики IXTH12N100L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 500mA, 20V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	155nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2500pF @ 25V
Power - Max	400W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH12N100L (MOSFET)

Linear Power MOSFET with extended FBSOA

Производитель:
IXYS

IXTH12N100L datasheet
85.3 Кб