IXTH182N055T

Версия для печати

Технические характеристики IXTH182N055T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	182A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	114nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4850pF @ 25V
Power - Max	360W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH182N055T (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTH182N055T datasheet
211.4 Кб