IXTH3N100P


Polar power mosfet

Купить IXTH3N100P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTH3N100P
Версия для печати

Технические характеристики IXTH3N100P

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPolarVHV™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1100pF @ 25V
Power - Max125W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247
КорпусTO-247
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH3N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTH3N100P datasheet
152.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход