MBR15H45CT


Купить MBR15H45CT ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MBR15H45CT Сдвоенный, с общим катодом, диод шотки.... Сдвоенный, с общим катодом, диод шотки. улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода
  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Низкое падение прямого напряжения
  • Малый ток утечки
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Версия для печати

Технические характеристики MBR15H45CT

Current - Reverse Leakage @ Vr100µA @ 45V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If840mV @ 15A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)7.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)45V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBR15H45CT (Диоды Шоттки)

Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Производитель:
Vishay

MBR15H45CT datasheet
157.3 Кб
2РМГД18БПН4Ш5Е2Б
Герметичные и высокогерметичные соединители выполнены блочными вилками для сочленения с кабельными негерметичными розетками. Соединители состоят из ...
1476.28 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
РђР›145Рђ

11.34 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
STD3NK60ZD
N-channel 600 v, 3.3 ?, 2.4 a, dpak superfredmeshв„ў power mosfet
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход