NTR4101P

Версия для печати

Технические характеристики NTR4101P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	675pF @ 10V
Power - Max	420mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTR4101P (MOSFET)

Trench Power MOSFET ?20 V, Single P?Channel, SOT?23

Производитель:
ON Semiconductor

NTR4101P datasheet
117.5 Кб