PHT11N06LT

Версия для печати

Технические характеристики PHT11N06LT

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 5A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	8.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHT11N06LT (MOSFET)

TrenchMOS (tm) transistor Logic level FET

Производитель:
NXP

PHT11N06LT datasheet
55.4 Кб