RFD12N06RLESM
17a, 60v, 0.071 ohm, n-channel, logic level ultrafet power mosfet
|
Версия для печати
| Серия | UltraFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V |
| Power - Max | 49W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
RFD12N06RLESM (MOSFET) 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Производитель:
|
