RFD16N06LESM

Версия для печати

Технические характеристики RFD16N06LESM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 16A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1350pF @ 25V
Power - Max	90W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

RFD16N06LESM (MOSFET)

Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

Производитель:
Fairchild Semiconductor

RFD16N06LESM datasheet
193.6 Кб