Si1305EDL


P-channel 1.8-v (g-s) mosfet

Купить Si1305EDL ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si1305EDL
Версия для печати

Технические характеристики Si1305EDL

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C860mA
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
Power - Max290mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-70, SOT-323
КорпусSC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si1305EDL (MOSFET)

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si1305EDL datasheet
91.6 Кб
DS1869S-10
Потенциометр 10кОм, Ind
Купить
AT28C64-15JC

105.00 Р В Р’ Р’ Р’ Р’ Р Р‹Р В РІР‚љР РЋРЎвЂњР В Р’В± Р В Р’ Р’ Р’ Р’ Р’ РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”ить
ZXMN10A07Z
100v n-channel enhancement mode mosfet
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход