Si1305EDL
P-channel 1.8-v (g-s) mosfet
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 860mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Power - Max | 290mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si1305EDL (MOSFET) P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Производитель:
|
 | L-57EYW Двухцветный биполярный круглый светодиод 5мм IC совместимый. Надежен и долговечен. Малое потребление. RoHS совместимый ... 27.73 руб Купить |
 | LMV832 3,3мгц низкопотребляющий операционный усилитель со встроенным фильтром электромагнитных помех (emi) Купить |
 | TLV1504 2.7 в до 5.5 в, 10- бит, 200 ksps, 4 канала, маломощные ацп с режимом авто выкл.Особенности: Максимальная производительность до 200 тысяч выборок в с... Купить |
