Si1426DH
N-channel 30-v (d-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si1426DH
Серия | TrenchFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si1426DH (MOSFET)
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|