Si3441BDV
P-channel 2.5-v (g-s) mosfet
|
Версия для печати
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.45A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Power - Max | 860mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si3441BDV (MOSFET) P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Производитель:
|
