SiA810DJ
P-channel 20-v (d-s) mosfet with trench schottky diode
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Power - Max | 6.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SiA810DJ (MOSFET) P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode
Производитель:
|
