SiB417DK
P-channel 1.2-v (g-s) mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12.75nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 675pF @ 4V |
| Power - Max | 13W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-75-6L |
| Корпус | PowerPAK® SC-75-6L Single |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SiB417DK (MOSFET) P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
Производитель:
|
 | 2SC3355 Биполярный транзистор NPN UHF (20V, 0.1A, 0.6W, 6.5GHz) Купить |
 | MTS-123 A-2 Предельное напряжение 1000 В AC в теч 1 мин Предельный ток 6 А при 125 В АС 3 А при 250 В АС Сопротивление изоляции 1000 МОм min 500 В DС Сопротивлени... Купить |
 | TR72-12VDC-SB-C Реле постоянного тока, герметичное , силовое, монтаж РІ отв. платы1переключающий  РєРѕРЅС‚актНапряжение катушки 12ВСопротивление катушки &nbsp... Купить |
