SSM6J409TU

Версия для печати

Технические характеристики SSM6J409TU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.1 mOhm @ 3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 10V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	UF6
Корпус	UF6 (2.0x2.1)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SSM6J409TU (MOSFET)

Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V)

Производитель:
Toshiba

SSM6J409TU datasheet
221.8 Кб