STB11NM60
N-channel 650v @ tjmax - 0.4? - 11a d2pak/i2pak mdmesh™ power mosfet
|
Версия для печати
| Серия | MDmesh™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус | I2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STB11NM60 (MOSFET) N-channel 650V @ TJmax - 0.4? - 11A D2PAK/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET
Производитель:
|
