STB12NM50ND
N-channel 500 v, 0.29 ?, 11 a, fdmesh™ ii power mosfet(with fast diode), d2pak
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | FDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 50V |
| Power - Max | 100W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STB12NM50ND (MOSFET) N-channel 500 V, 0.29 ?, 11 A, FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode), D2PAK
Производитель:
|
