STB16NS25

Версия для печати

Технические характеристики STB16NS25

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	MESH OVERLAY™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1270pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB16NS25 (MOSFET)

N-CHANNEL 250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERLAY™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB16NS25 datasheet
459.4 Кб