STB25NM50N


N-channel 500 v, 0.11 ?, 22 a mdmesh™ ii power mosfet i2pak, d2pak

Купить STB25NM50N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB25NM50N
Версия для печати

Технические характеристики STB25NM50N

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs140 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C22A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs84nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2565pF @ 25V
Power - Max160W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB25NM50N (MOSFET)

N-channel 500 V, 0.11 ?, 22 A MDmesh™ II Power MOSFET I2PAK, D2PAK

Производитель:
STMicroelectronics

STB25NM50N datasheet
610.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход