STB85NF55L

Версия для печати

Технические характеристики STB85NF55L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4050pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB85NF55L (MOSFET)

N-channel 55V - 0.0060? - 80A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB85NF55L datasheet
312.4 Кб