STD5N20

Версия для печати

Технические характеристики STD5N20

Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 2.5A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	242pF @ 25V
Power - Max	33W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STD5N20 (MOSFET)

N-CHANNEL 200V - 0.6W - 5A DPAK MESH OVERLAY™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STD5N20 datasheet
255 Кб