STGB10HF60KD
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
Версия для печати
| TA,°C | от -40 до -175 |
| Корпус | D2-PAK |
| Диод | Да |
| VCE(sat),В | 2 |
| PWT,Вт | 80 |
| IC(TC=100°C),А | 10 |
| VCES,В | 600 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STGB10HF60KD (IGBT) IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания
Производитель:
|
