STP3NK100Z

Версия для печати

Технические характеристики STP3NK100Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 1.25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	601pF @ 25V
Power - Max	90W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP3NK100Z (MOSFET)

N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP3NK100Z datasheet
419.2 Кб