SUD50N02-09P


N-channel 20-v (d-s) 175c mosfet

Купить SUD50N02-09P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SUD50N02-09P
Версия для печати

Технические характеристики SUD50N02-09P

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C20A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1300pF @ 10V
Power - Max6.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусTO-252, (D-Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SUD50N02-09P (MOSFET)

N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET

Производитель:
Vishay

SUD50N02-09P datasheet
77.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход