ZXMN2A04DN8
Dual 20v n-channel enhancement mode mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1880pF @ 10V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ZXMN2A04DN8 (MOSFET) DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Производитель:
|
