NTHC5513T1G


Купить NTHC5513T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTHC5513T1G
Версия для печати

Технические характеристики NTHC5513T1G

Input Capacitance (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.9A, 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-ChipFET™
КорпусChipFET
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход