IRF540S
Hexfet® power mosfet
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 17A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 28A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Power - Max | 3.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF540S (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Д706АС9 | 1 | 43.75 | ||||||
| 2Д706АС9 | ДАЛЕКС |
|
|
|||||
| 2Д706АС9 | АЛЕКСАНДРОВ | 50 624 | 30.00 | |||||
 |
2Д803АС9 | 1 | 21.00 | |||||
|
|
2Д803АС9 | АЛЕКСАНДРОВ | 12 676 | 30.00 | ||||
|
|
2Д803АС9 | ДАЛЕКС |
|
|
||||
| IRL540NSTRLPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRL540NSTRLPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | 16 |
|
|||||
| IRL540NSTRLPBF |
|
|
||||||
| IRL540NSTRLPBF | INFINEON |
|
|
|||||
| К293ЛП7Т | 13 | 105.00 | ||||||
| К293ЛП7Т | 13 | 105.00 | ||||||
| К293ЛП7Т | ПРОТОН |
|
|
|||||
 |
КТ3129Г9 | 2 234 | 3.50 | |||||
|
|
КТ3129Г9 | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ3129Г9 | ДАЛЕКС | 3 | 29.50 | ||||
|
|
КТ3129Г9 | ЭЛЕКС | 4 | 3.02 | ||||
|
|
КТ3129Г9 | RUS |
|
|
||||
|
|
КТ3129Г9 | МИНСК |
|
|
||||
|
|
КТ3129Г9 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
