IRFI520N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFI520N		72.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFI520N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 4.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFI520N (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFI520N datasheet
135.19Kb
8стр.