IRFI730G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFI730G		124.12

Версия для печати

Технические характеристики IRFI730G

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 2.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	700pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack, Isolated
Корпус	TO-220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFI730G (N-канальные транзисторные модули)

HEXFET POWER MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFI730G datasheet
174.63Kb
6стр.