BC847AWT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC847AWT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	33 500	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BC847AWT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	110 @ 2mA, 5V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LBC846AWT1

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: LBC847AWT1G

Производитель:
Leshan Radio Company
//www.lrc-china.com

BC847AWT1G datasheet
161.58Kb
5стр.