FDFS6N303

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDFS6N303 (FAIRCHILD.)	1 420	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDFS6N303

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 15V
Power - Max	900mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 09/Sept/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDFS6N303 (Полевые МОП транзисторы)

N-channel Mosfet With Schottky Diode

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDFS6N303 datasheet
97.79Kb
5стр.