HIP6601BECB-T


Купить HIP6601BECB-T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HIP6601BECB-T
Версия для печати

Технические характеристики HIP6601BECB-T

Корпус8-SOIC-EP
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура0°C ~ 85°C
Напряжение питания10.8 V ~ 13.2 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)15V
Число выходов2
Число конфигураций1
Ток пиковое значение400mA
Тип входаPWM
КонфигурацияHigh and Low Side, Synchronous
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HIP6601B (Управление питанием)

Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers

Также в этом файле: HIP6601BECB-T

Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com

HIP6601BECB-T datasheet
344.59Kb
11стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход