HIP6602BCBZ-T


Купить HIP6602BCBZ-T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HIP6602BCBZ-T
Версия для печати

Технические характеристики HIP6602BCBZ-T

Корпус14-SOICN
Корпус (размер)14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура0°C ~ 85°C
Напряжение питания10.8 V ~ 13.2 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)15V
Число выходов4
Число конфигураций2
Ток пиковое значение400mA
Тип входаPWM
КонфигурацияHigh and Low Side, Synchronous
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HIP6602B (Управление питанием)

Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver

Также в этом файле: HIP6602BCBZ-T

Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com

HIP6602BCBZ-T datasheet
318.18Kb
12стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход