MGSF1N02LT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MGSF1N02LT1 (ON SEMICONDUCTOR.)	493	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MGSF1N02LT1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 1.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	750mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	125pF @ 5V
Power - Max	400mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Discontinuance 11/Feb/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MGSF1N02LT1 (MOSFET)

Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N?Channel SOT?23

Производитель:
ON Semiconductor

MGSF1N02LT1 datasheet
63 Кб